Методом молекулярной динамики изучено поведение иона лития в плоском канале, образованном графеновыми листами, под воздействием электростатического поля. Найдена оптимальная величина зазора между листами графена, при которой движение иона происходит с минимальными отклонениями от направления, задаваемого полем. Рассчитаны горизонтальная и вертикальная подвижности атомов углерода в каждом из листов графена, между которыми перемещался ион лития, а также тензор напряжения для графенового канала, σzz-компонента которого является наиболее критичной при движении иона по каналу.