Standard

МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50. / Васьковский, Владимир Олегович; Лепаловский, Владимир Николаевич; Горьковенко, Александр Николаевич et al.
In: Журнал технической физики, Vol. 85, No. 1, 2015, p. 118-125.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Васьковский, ВО, Лепаловский, ВН, Горьковенко, АН, Кулеш, НА, Савин, ПА, Свалов, АВ, Степанова, ЕА, Щеголева, НН & Ювченко, АА 2015, 'МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50', Журнал технической физики, vol. 85, no. 1, pp. 118-125.

APA

Васьковский, В. О., Лепаловский, В. Н., Горьковенко, А. Н., Кулеш, Н. А., Савин, П. А., Свалов, А. В., Степанова, Е. А., Щеголева, Н. Н., & Ювченко, А. А. (2015). МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50. Журнал технической физики, 85(1), 118-125.

Vancouver

Васьковский ВО, Лепаловский ВН, Горьковенко АН, Кулеш НА, Савин ПА, Свалов АВ et al. МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50. Журнал технической физики. 2015;85(1):118-125.

Author

Васьковский, Владимир Олегович ; Лепаловский, Владимир Николаевич ; Горьковенко, Александр Николаевич et al. / МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50. In: Журнал технической физики. 2015 ; Vol. 85, No. 1. pp. 118-125.

BibTeX

@article{3a50487d3eb945b9b768a1854e88cb54,
title = "МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50",
abstract = "Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.",
author = "Васьковский, {Владимир Олегович} and Лепаловский, {Владимир Николаевич} and Горьковенко, {Александр Николаевич} and Кулеш, {Никита Александрович} and Савин, {Петр Алексеевич} and Свалов, {Андрей Владимирович} and Степанова, {Е. А.} and Щеголева, {Нина Никифоровна} and Ювченко, {Александр Алексеевич}",
year = "2015",
language = "Русский",
volume = "85",
pages = "118--125",
journal = "Журнал технической физики",
issn = "0044-4642",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50

AU - Васьковский, Владимир Олегович

AU - Лепаловский, Владимир Николаевич

AU - Горьковенко, Александр Николаевич

AU - Кулеш, Никита Александрович

AU - Савин, Петр Алексеевич

AU - Свалов, Андрей Владимирович

AU - Степанова, Е. А.

AU - Щеголева, Нина Никифоровна

AU - Ювченко, Александр Алексеевич

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.

AB - Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=24195973

M3 - Статья

VL - 85

SP - 118

EP - 125

JO - Журнал технической физики

JF - Журнал технической физики

SN - 0044-4642

IS - 1

ER -

ID: 1864070