Экспериментально исследовано взаимодействие ультразвука с комплексами CuGa4As в кристалле GaAs:Cu. Измерены температурные зависимости поглощения всех нормальных ультразвуковых мод, распространяющихся в направлении <110>, как в легированных медью, так и в номинально чистых кристаллах арсенида галлия. В кристалле GaAs:Cu обнаружен пик поглощения для поперечной волны, поляризованной вдоль оси <110>, упругие смещения которой соответствуют симметрии тетрагональной моды эффекта Яна-Теллера. Характер температурной зависимости поглощения этой волны свидетельствует о том, что имеет место поглощение двух типов: релаксационное и резонансное. Построена температурная зависимость времени релаксации, свидетельствующая о том, что при температурах ниже 10 К основным механизмом релаксации является туннелирование через потенциальный барьер между минимумами адиабатического потенциала. На основе экспериментальных данных получена оценка величины туннельного расщепления, которая находится в хорошем согласии с теоретической.