Методами фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ФЭСУР, ARPES) исследована электронная структура монокристаллов InSe и CuIn5Se8, установлены основные закономерности ее трансформации при добавлении меди. Найдены основные кривые дисперсии валентных полос в исследуемых многокомпонентных системах и определены эффективные массы основных носителей в соединении CuIn5Se8. Выполнены совместные теоретические и экспериментальные исследования, обеспечивающие возможность применения метода фотоэмиссионной спектроскопии углового разрешения не только к одиночным изолированным состояниям, но и к сложным кристаллам с большим числом атомов в элементарной ячейке и, следовательно, множеством дисперсионных полос. Показано, что определяющий вклад в интенсивность наблюдаемого сигнала дают окрестности максимумов и минимумов дисперсионных кривых E(k), которые фактически задают массив экспериментальных ФЭСУР-спектров.