"Приводятся результаты исследований температурных и полевых зависимостей удельной намагниченности и магнитосопротивления в гетероструктурах с квантовой ямой GaAs/Ga0.84In0.16As/GaAs и с delta-слоем атомарного Mn, расположенным в барьерном слое вблизи квантовой ямы, заполненной дырками. Обнаружено изменение в поведении сопротивления и намагниченности при упорядочении локализованных магнитных моментов в покровном слое вследствие изменения топологии распределения ионов марганца. Работа выполнена в рамках федеральной целевой программы "Электрон" N 01201463326 при частичной финансовой поддержке программы фундаментальных исследований УрО РАН (грант N 15-7-2-32) и РФФИ (грант N 15-02-08909)."