Исследованы термолюминесцентные свойства анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия с различной полушириной основного (дозиметрического) пика при 400-500 K. Получены новые экспериментальные подтверждения дырочной природы ловушек, ответственных за высокотемпературную часть данного пика. Введение в рассмотрение дырочных центров захвата позволило теоретически обосновать экспериментально наблюдаемые зависимости интенсивности термолюминесценции (ТЛ), температурного положения и полуширины основного пика от степени заполнения глубоких ловушек. Дырочная природа ловушек высокотемпературной части основного ТЛ-пика подтверждается при анализе особенностей ТЛ мелких центров захвата, обусловливающих ТЛ при 350 K, а также при изучении температурных изменений спектра ТЛ основного пика.