В работе исследованы кристаллическая структура и гистерезисные свойства многослойных пленок типа FeNi/NiMn/FeNi, в которых варьировались состав слоя NiMn (9; 27; 49 ат. % Ni) и толщина буферного слоя FeNi (50–400 Å), предшествовавшего слою NiMn. В пленках со слоем NiMn, содержащим 9 ат. % Ni, обменное смещение наблюдается лишь для нижнего слоя, в то время как в пленке с 27 ат. % Ni – в обоих слоях пермаллоя. При этом величина поля обменного смещения зависит от толщины буферного слоя и позиции слоя пермаллоя в пленочной структуре.