Программа предназначена для расчета методом конечных элементов пространственного распределения температуры и пироэлектрических полей и их зависимости от времени, возникающих в пластине одноосного сегнетоэлектрика при воздействии импульсов лазерного излучения. Входные параметры: исследуемый материал, длина волны лазера, энергия в импульсе, количество и частота следования импульсов, показатель поглощения и коэффициент отражения для заданной длины волны, размеры пластины и ее начальная температура, радиус и расходимость лазерного луча, фокусное расстояние объектива и расстояние от него до поверхности пластины. Программа может быть использована для создания доменной структуры в сегнетоэлектрических кристаллах воздействием лазерного излучения без приложения электрического поля. Работа выполнена с использованием Уральского ЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ. Тип ЭВМ: Персональный компьютер; ОС: Linux, Windows 8, 10, 11.