Экспериментально изучены процессы прямого и двухступенчатого рождения фотоэлектронов, учас- тие внутренних состояний в спектрах электронов из валентных полос при резонансной фотоэмиссии в халькогенидах меди Cu(In, Ga)Se2. При пороговом возбуждении Cu-2p-уровня получены двухдырочные конечные состояния в фотоэмиссии. Сильное взаимодействие дырок приводит к мультиплетному расщеплению этих состояний, найдена величина энергии хаббардовского отталкивания дырок на атоме меди 7 эВ.