Для кристаллов с примесными ионами в трехкратно вырожденном электронном T -состоянии разработан метод определения как симметрийных свойств деформаций, так и типа эффекта Яна - Теллера. Метод основан на расчетах изотермического вклада примесной подсистемы в упругие модули кристалла, поглощение и скорость нормальных мод для всех трех возможных задач: T ⊗ e, T ⊗ t2 или T ⊗ (e + t2). Проведено сравнение результатов расчета с экспериментальными данными. Эффективность метода продемонстрирована на примере кристалла CdSe : Cr2+. Установлено, что центр CrSe4 описывается в рамках задачи T ⊗ e. Определены параметры адиабатического потенциала основного состояния.