Исследовано влияние глубоких ловушек, заполняемых импульсным пучком электронов, на термолюминесценцию (ТЛ) дозиметрического пика при 450 K в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия. После заполнения глубоких ловушек дозиметрический пик ТЛ становится неэлементарным и характеризуется сложной зависимостью интенсивности ТЛ от температуры отжига кристаллов с чередующимися участками спада и роста. Проведен анализ влияния заселенности глубоких центров различной природы и энергетической глубины на изменение структуры дозиметрического ТЛ пика. Обосновано предположение, что в диапазонах температур 600-750 и 900-1000 K опустошаются преимущественно электронные ловушки, а при T=780-900 и свыше 1000 K --- дырочные. Показана возможность использования ТЛ глубоких ловушек для высокодозной дозиметрии импульсных пучков электронов.