Путем численного микромагнитного моделирования в рамках двумерной модели распределения намагниченности исследован процесс трансформации доменной структуры пленок микронной толщины при изменении константы одноосной наведенной анизотропии с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки. Рассмотрен случай, когда кроме одноосной магнитной анизотропии в пленке присутствует кристаллографическая четырехосная анизотропия. Детально исследована перестройка открытой доменной структуры в структуру с замкнутым внутри образца магнитным потоком, получены новые типы доменных структур и доменных границ (вихреподобные 109- и 90-градусные). Работа поддержана грантами РФФИ N 11-02-00931 и ОФН РАН 12-Т-2-1007.