КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СИЛИЦЕНОВОГО АНОДА НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Standard

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СИЛИЦЕНОВОГО АНОДА НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ. / Галашев, Александр Евгеньевич.
In: Химическая физика, Vol. 42, No. 2, 2023, p. 49-59.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{d67f2c0dc148436f8baadde0b84cdf39,

title = "КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СИЛИЦЕНОВОГО АНОДА НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ",

abstract = "Методом молекулярной динамики исследованы структуры двухслойного силицена и поддерживающей его пленки 4H-модификации карбида кремния, выполняющих роль анода литий-ионного аккумулятора. Поведение такого комбинированного анода рассмотрено в условиях его вертикального заполнения литием. В листах силицена присутствовали вакансионные дефекты в виде би-, три- и гексавакансий. Ионы лития, направляемые перпендикулярно плоскости силицена, осаждались на листах силицена, оставались в силиценовом канале и частично проникали на поверхность подложки. Вертикальные смещения атомов в верхнем листе силицена после интеркаляции лития существенно превосходили соответствующие смещения в нижнем листе, соприкасающемся с подложкой. Построение многогранников Вороного отдельно для Si- и C-подсистем карбида кремния позволило выявить структурные особенности каждой из подсистем исследуемой двумерной слоистой структуры.",

author = "Галашев, {Александр Евгеньевич}",

year = "2023",

doi = "10.31857/S0207401X2302005X",

language = "Русский",

volume = "42",

pages = "49--59",

journal = "Химическая физика",

issn = "0207-401X",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СИЛИЦЕНОВОГО АНОДА НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ

AU - Галашев, Александр Евгеньевич

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Методом молекулярной динамики исследованы структуры двухслойного силицена и поддерживающей его пленки 4H-модификации карбида кремния, выполняющих роль анода литий-ионного аккумулятора. Поведение такого комбинированного анода рассмотрено в условиях его вертикального заполнения литием. В листах силицена присутствовали вакансионные дефекты в виде би-, три- и гексавакансий. Ионы лития, направляемые перпендикулярно плоскости силицена, осаждались на листах силицена, оставались в силиценовом канале и частично проникали на поверхность подложки. Вертикальные смещения атомов в верхнем листе силицена после интеркаляции лития существенно превосходили соответствующие смещения в нижнем листе, соприкасающемся с подложкой. Построение многогранников Вороного отдельно для Si- и C-подсистем карбида кремния позволило выявить структурные особенности каждой из подсистем исследуемой двумерной слоистой структуры.

AB - Методом молекулярной динамики исследованы структуры двухслойного силицена и поддерживающей его пленки 4H-модификации карбида кремния, выполняющих роль анода литий-ионного аккумулятора. Поведение такого комбинированного анода рассмотрено в условиях его вертикального заполнения литием. В листах силицена присутствовали вакансионные дефекты в виде би-, три- и гексавакансий. Ионы лития, направляемые перпендикулярно плоскости силицена, осаждались на листах силицена, оставались в силиценовом канале и частично проникали на поверхность подложки. Вертикальные смещения атомов в верхнем листе силицена после интеркаляции лития существенно превосходили соответствующие смещения в нижнем листе, соприкасающемся с подложкой. Построение многогранников Вороного отдельно для Si- и C-подсистем карбида кремния позволило выявить структурные особенности каждой из подсистем исследуемой двумерной слоистой структуры.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=50404730

U2 - 10.31857/S0207401X2302005X

DO - 10.31857/S0207401X2302005X

M3 - Статья

VL - 42

SP - 49

EP - 59

JO - Химическая физика

JF - Химическая физика

SN - 0207-401X

IS - 2

ER -

ID: 37199383