В молекулярно-динамическом эксперименте исследованы процессы литизации и делитизации совершенного и дефектного (содержащего моновакансии) силиценового канала, находящегося на подложке Ni(III). Показано, что такая система может существовать во времени, не разрушаясь, вплоть до 1 нс. Предельное количество ионов лития, интеркалируемых в канал, для модифицированного моновакансиями силицена на 20% выше, чем для бездефектной структуры. При этом, силиценовые листы не разрушаются и сохраняют свою целостность. Преимущественное наблюдаемое расположение атомов лития в канале – над центрами гексагональных кремниевых колец. В канале, образованном совершенным силиценом, коэффициент подвижности лития в два раза выше, чем в дефектной структуре. В целом, никель в качестве подложки для силиценового канала может выступать перспективным материалом с точки зрения достижения высокой динамической емкости силиценового электрода для литий-ионных батарей.