Методом молекулярной динамики исследовано заполнение литием анода, представленного в виде дефектного двухслойного силицена, находящегося на тонкой подложке из карбида кремния (ионы лития запускали из различных мест над верхним листом силицена перпендикулярно его плоскости, дефектами в силицене служили би-, три- и гексавакансии). Установлено, что силиценовые листы деформировались при интеркаляции лития, однако структура силицена сохранялась, а дефекты каждого вида не сильно изменяли свою форму после завершения интеркаляции. Структура SiC‑подложки исследована путем построения упрощенных многогранников отдельно для подсистем Si и C; в кристаллическом карбиде кремния C-подсистема оказывается более разупорядоченной, чем Si‑подсистема. Показано, что тип вакансий в силицене не оказывает сколько-нибудь значительного влияния на структуру подложки. Сделан вывод, что вертикальное заполнение анода литием допустимо в случае применения комбинации “силицен/карбид кремния” в качестве материала анода литий-ионной батареи.