Standard

Способ калибровки слитка полупроводникового материала: патент на изобретение. / Жуков, Юрий Николаевич (Inventor); Тихонов, Игорь Николаевич (Inventor); Агаева, Эльвира Эльдаровна (Inventor).
Федеральный институт промышленной собственности. Patent No.: 2682564. Mar 19, 2019.

Research output: Patent

Harvard

Жуков, ЮН, Тихонов, ИН & Агаева, ЭЭ Mar. 19 2019, Способ калибровки слитка полупроводникового материала: патент на изобретение, Patent No. 2682564. <https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2682564&TypeFile=html>

APA

Жуков, Ю. Н., Тихонов, И. Н., & Агаева, Э. Э. (2019). Способ калибровки слитка полупроводникового материала: патент на изобретение. (Patent No. 2682564). Федеральный институт промышленной собственности. https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2682564&TypeFile=html

Vancouver

Жуков ЮН, Тихонов ИН, Агаева ЭЭ, inventors. Способ калибровки слитка полупроводникового материала: патент на изобретение. 2682564. 2019 Mar 19.

Author

Жуков, Юрий Николаевич (Inventor) ; Тихонов, Игорь Николаевич (Inventor) ; Агаева, Эльвира Эльдаровна (Inventor). / Способ калибровки слитка полупроводникового материала : патент на изобретение. Федеральный институт промышленной собственности. Patent No.: 2682564. Mar 19, 2019.

BibTeX

@misc{eee79c31c3b8413695c6a06971ec1e3d,
title = "Способ калибровки слитка полупроводникового материала: патент на изобретение",
abstract = "Изобретение относится к области изготовления изделий электронной техники, заготовкой для которых является слиток полупроводникового материала, требующий калибровки - получение цилиндрической поверхности. Технический результат заключается в повышении качества поверхностного слоя слитка, уменьшении нарушенного слоя поверхности после обработки, увеличении производительности процесса, исключении длительного чистового шлифования, замене лезвийной обработки. В способе калибровки слитка полупроводникового материала, включающем черновую и чистовую обработку, чистовую обработку выполняют шлифованием алмазными кругами зернистостью 160-250 мкм, а чистовую обработку выполняют точением с глубиной резания 250-350 мкм при подаче 500-700 мкм/об лезвийным алмазным инструментом, главная режущая кромка которого имеет радиус скругления 0,2-0,5 мкм и установлена параллельно оси. 2 ил.",
author = "Жуков, {Юрий Николаевич} and Тихонов, {Игорь Николаевич} and Агаева, {Эльвира Эльдаровна}",
year = "2019",
month = mar,
day = "19",
language = "Русский",
publisher = "Федеральный институт промышленной собственности",
address = "Российская Федерация",
type = "Patent",
note = "2682564; H01L 22/12",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Способ калибровки слитка полупроводникового материала

T2 - патент на изобретение

AU - Жуков, Юрий Николаевич

AU - Тихонов, Игорь Николаевич

AU - Агаева, Эльвира Эльдаровна

PY - 2019/3/19

Y1 - 2019/3/19

N2 - Изобретение относится к области изготовления изделий электронной техники, заготовкой для которых является слиток полупроводникового материала, требующий калибровки - получение цилиндрической поверхности. Технический результат заключается в повышении качества поверхностного слоя слитка, уменьшении нарушенного слоя поверхности после обработки, увеличении производительности процесса, исключении длительного чистового шлифования, замене лезвийной обработки. В способе калибровки слитка полупроводникового материала, включающем черновую и чистовую обработку, чистовую обработку выполняют шлифованием алмазными кругами зернистостью 160-250 мкм, а чистовую обработку выполняют точением с глубиной резания 250-350 мкм при подаче 500-700 мкм/об лезвийным алмазным инструментом, главная режущая кромка которого имеет радиус скругления 0,2-0,5 мкм и установлена параллельно оси. 2 ил.

AB - Изобретение относится к области изготовления изделий электронной техники, заготовкой для которых является слиток полупроводникового материала, требующий калибровки - получение цилиндрической поверхности. Технический результат заключается в повышении качества поверхностного слоя слитка, уменьшении нарушенного слоя поверхности после обработки, увеличении производительности процесса, исключении длительного чистового шлифования, замене лезвийной обработки. В способе калибровки слитка полупроводникового материала, включающем черновую и чистовую обработку, чистовую обработку выполняют шлифованием алмазными кругами зернистостью 160-250 мкм, а чистовую обработку выполняют точением с глубиной резания 250-350 мкм при подаче 500-700 мкм/об лезвийным алмазным инструментом, главная режущая кромка которого имеет радиус скругления 0,2-0,5 мкм и установлена параллельно оси. 2 ил.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37358435

M3 - Патент

M1 - 2682564

Y2 - 2018/04/09

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -

ID: 21054140