141 - 145 из 145Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1976

  2. SWITCHING TIME IN LOW-TEMPERATURE IMPURITY BREAKDOWN IN n-TYPE GaAs

    Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Negashev, S. A. & Kruzhaev, V. V., 1 янв. 1976, в: Semiconductors. 10, 6, стр. 716-717 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 1975

  4. OPTICAL HEATING OF ELECTRONS IN GaAs

    Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Kruzhaev, V. V. & Negashev, S. A., 1 янв. 1975, в: Semiconductors. 9, 11, стр. 1420-1421 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. CURRENT FILAMENTATION IN IMPURITY BREAKDOWN IN N-TYPE GAAS

    Zverev, L. P., Minkov, G. M. & Sumin, N. K., 1975, в: Semiconductors. 8, 11, стр. 1457-1458 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  6. HEATING OF ELECTRONS IN GAAS AT LOW-TEMPERATURES

    Zverev, L. P., Minkov, G. M. & Sumin, N. K., 1975, в: Semiconductors. 9, 4, стр. 503-504 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Комментарий/Дебаты › Рецензирование

  7. 1974

  8. INFLUENCE OF A STRONG MAGNETIC-FIELD ON PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM OF N-TYPE GALLIUM-ARSENIDE

    Zverev, L. P., Minkov, G. M. & Negashev, S. A., 1974, в: Semiconductors. 7, 8, стр. 1056-1057 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1...11 12 13 14 15 Далее

ID: 56926