1. 2018
  2. Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102)

    Gudina, S. V., Arapov, Y. G., Ilchenko, E. V., Neverov, V. N., Savelyev, A. P., Podgornykh, S. M., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Vasil’evskii, I. S. & Vinichenko, A. N., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 15, 1 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналКомментарий/ДебатыРецензирование

  3. Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures

    Gudina, S. V., Arapov, Y. G., Neverov, V. N., Savelyev, A. P., Podgornykh, S. M., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Vinichenko, A. N. & Vasil’evskii, I. S., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 12, стр. 1551-1558 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  4. "Extremum Loop" Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase

    Gudina, S. V., Yakunin, M. V., Bogolyubskii, A. S., Neverov, V. N. & Shelushinina, N. G., нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1403-1406 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  5. Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells

    Gudina, S. V., Neverov, V. N., Ilchenko, E. V., Bogolubskii, A. S., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2018, в: Semiconductors. 52, 1, стр. 12-18 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  6. МОДЕЛЬ ПЕТЛИ ЭКСТРЕМУМОВ" ДЛЯ СПЕКТРА ВАЛЕНТНОЙ ЗОНЫ КВАНТОВОЙ ЯМЫ HGTE/HGCDTE С ИНВЕРТИРОВАННОЙ ЗОННОЙ СТРУКТУРОЙ В ПОЛУМЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ФАЗЕ

    Гудина, С. В., Боголюбский, А. С., Неверов, В. Н., Шелушинина, Н. Г. & Якунин, М. В., 2018, в: Физика и техника полупроводников. 52, 11, стр. 1291-1294 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  7. НЕУНИВЕРСАЛЬНОЕ СКЕЙЛИНГОВОЕ ПОВЕДЕНИЕ ШИРИНЫ ПИКОВ ПРОВОДИМОСТИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СТРУКТУРАХ INGAAS/INALAS

    Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Ильченко, Е. В., Неверов, В. Н., Савельев, А. П., Подгорных, С. М., Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С. & Виниченко, А. Н., 2018, в: Физика и техника полупроводников. 52, 12, стр. 1447-1454 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  8. ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА И G-ФАКТОР ЭЛЕКТРОНОВ В ШИРОКИХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ ТЕЛЛУРИДА РТУТИ *

    Гудина, С. В., Неверов, В. Н., Ильченко, Е. В., Боголюбский, А. С., Харус, Г. И., Шелушинина, Н. Г., Подгорных, С. М., Якунин, М. В., Михайлов, Н. Н. & Дворецкий, С. А., 2018, в: Физика и техника полупроводников. 52, 1(15), стр. 16-22 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  9. 2017
  10. Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content

    Gudina, S. V., Arapov, Y. G., Savelyev, A. P., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Rogacki, K., Vasil'evskii, I. S. & Vinichenko, A. N., 15 окт. 2017, в: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 440, стр. 10-12 3 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  11. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

    Gudina, S. V., Neverov, V. N., Novik, E. G., Ilchenko, E. V., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 485-490 6 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  12. Conditions for experimental observation of the critical behavior of the longitudinal and Hall resistance in the quantum Hall regime in gallium and indium arsenide-based heterostructures

    Klepikova, A. S., Arapov, Y. G., Gudina, S. V., Neverov, V. N., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V. & Zvonkov, B. N., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 478-484 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

ID: 66690